特許
J-GLOBAL ID：200903089859003202

半導体装置およびその製造方法

発明者：
神 力 博

神 力 博 について

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貝 塚 健 志

貝 塚 健 志 について

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太 田 与 洋

太 田 与 洋 について


出願人/特許権者：
川崎製鉄株式会社

川崎製鉄株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068780
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283606
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】半導体基板もしくは下層配線と上層配線とを接続するために、上下配線層間の接続孔にバリア性の有効な窒化チタン膜と上層配線の優先結晶配向性を制御することの可能な窒化チタン膜とを埋め込みながら、配線層を平坦化するとともに高信頼の配線を実現する半導体装置およびその製造方法の提供。【構成】半導体基板上の導電性領域または下層配線と上層配線との間の接続孔にまずバリア性の有効な(200)配向窒化チタンを成膜し、その上に、良質の(111)配向窒化チタンを成膜するのに有効な薄膜、例えばチタン薄膜を50%以上の表面被覆率で被覆し、次いで、上層配線層を構成するアルミニウム系合金膜を、長期信頼性を高める(111)結晶配向性の膜として形成させるために有効な(111)結晶配向性を有する窒化チタン膜を形成した後、この窒化チタン膜の上に前記アルミニウム系合金膜を含む上層配線層を積層する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の導電性領域または下層配線と上層配線を接続する接続孔において、この接続孔の底面の導電性領域または下層配線上に形成された(200)に配向した第1の窒化チタン膜と、この第1の窒化チタン膜上に表面被覆率50%以上で形成された第2の窒化チタン膜の結晶配向性を制御する薄膜もしくは粒と、この薄膜もしくは粒上に積層されたこの薄膜もしくは粒によって(111)に配向した第2の窒化チタン膜と、この第2の窒化チタン膜上に積層された、前記上層配線層を構成するアルミニウムまたはその合金膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90 ,  H01L 21/3205
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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