半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-093421
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303861
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】ボンディングパッド部と金ワイヤのボール部との接着性を向上させ、半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】配線基板上の電極パッドと半導体チップの電極パッド13(Al等よりなる最上層配線の露出部)とを接続する金ワイヤ中に1wt.%程度のPdを含有させることにより、電極パッド13と金ワイヤのボール部15aとの接合部(14)において、AuとAlの相互拡散を抑制し、PCT(プレッシャークッカーテスト)後のAu4Alの生成を防止する。腐食しやすいAu4Alの生成を防止することで、電極パッド13のピッチが65μm未満、ボール部15aの直径が55μm未満もしくはワイヤ部15cの直径が25μm以下となるような場合でも金ワイヤの接合強度を得られる。また、最上層配線Mの厚膜化や薄膜化にも対応できる。また、ボンディング温度の低温化にも対応できる。【選択図】図18

請求項（抜粋）：

(a)その主面に、アルミニウム(Al)を主成分とする金属膜の露出領域である第1電極パッドが複数形成された半導体チップと、 (b)前記半導体チップが搭載され、その主面に第2電極パッドが複数形成された配線基板と、 (c)前記第1電極パッドと前記第2電極パッドとを接続する金(Au)を主成分とする導電性ワイヤであって、前記第1電極パッド上に形成されたボール部と、前記第2電極パッド上に形成された接着部と、前記ボール部と前記接着部とを接続するワイヤ部とを有し、前記ボール部がAlとAuとの合金層により前記第1電極パッドと接合された導電性ワイヤと、を有し、 (d)前記導電性ワイヤ中にはパラジウム(Pd)が含まれ、 (e)前記第1電極パッドの中心部間の距離は、65μm未満であることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (3件)：

H01L21/60 301F , H01L21/60 301A , H01L21/60 301H

Fターム (3件)：

5F044BB09 , 5F044EE02 , 5F044FF04

引用特許：

審査官引用 (2件)

ボンディング用金線
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-265665 出願人：田中電子工業株式会社
半導体素子接続用金線
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-166524 出願人：田中電子工業株式会社

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