特許

J-GLOBAL ID：200903088533806007

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松永 範昭 ,  柴田 英毅
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198471
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016249
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 水素の外方拡散を抑制してゲート絶縁膜へ水素を効率的に供給することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 MIS構造を有するMIS型素子と、MIS型素子よりも上層側に形成され、MIS型素子のゲート絶縁膜12に水素を供給するための水素含有膜14と、水素含有膜よりも上層側に形成され、水素含有膜に含まれる水素の外方拡散を抑制する拡散防止膜15とを有する。

請求項（抜粋）：

MIS構造を有するMIS型素子と、前記MIS型素子よりも上層側に形成され、前記MIS型素子のゲート絶縁膜に水素を供給するための水素含有膜と、前記水素含有膜よりも上層側に形成され、前記水素含有膜に含まれる水素の外方拡散を抑制する拡散防止膜と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/105

FI (8件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/324 X ,  H01L 29/78 301 N ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (27件)：

5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EL01 ,  5F040EL02 ,  5F040EL06 ,  5F040EM00 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BD01 ,  5F058BD07 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR01 ,  5F083GA25 ,  5F083JA56 ,  5F083KA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-055965
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-363013   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置に使用する絶縁膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-100977   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-132434