特許
J-GLOBAL ID：200903088537336889
結晶欠陥検出方法及び結晶欠陥検出装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-052809
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246337
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 試料を損傷せず試料表面までの結晶欠陥の深さ分布及びその平面的な大きさの分布を得ること。【解決手段】 ステージ10上にSi基板11を設置し、そのSi基板11表面にバンドギャップ Vg 未満のエネルギーの第一のレーザー光を斜め上から入射している間に、その領域に Vg 以上のエネルギーの第二のレーザー光を斜め上から入射させ、Si基板11からの散乱光を検出する。次に、第二のレーザー光のエネルギーを高くし自由電子を増加させ、自由電子による第一のレーザー光の吸収を増加させる。すると第一のレーザー光が入射する深さがより浅くなり、基板11表面近傍のみの結晶欠陥を検出できる。このため、基板11を損傷することなく、散乱光強度より結晶欠陥の大きさ、そして第二のレーザー光のエネルギー及び強度より結晶欠陥の位置( 深さ) を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体結晶からなる試料表面に、前記試料のバンドギャップVg未満のエネルギーを有する第一のレーザー光を照射すると共に、前記試料表面に前記バンドギャップVg以上のエネルギーを有する第二のレーザー光を照射し、この第一及び第二のレーザー光を受けた前記試料の散乱光を検出することを特徴とする結晶欠陥検出方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 21/00
, G01N 21/88
H01L 21/66 L
, G01N 21/00 B
, G01N 21/88 E
