特許

J-GLOBAL ID：200903088552457188

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 好弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320402
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134714
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 カーボンを含む原料ガスを使って成膜した絶縁膜を有するトランジスタ構造をシリコン基板上に備え、かつ所期のトランジスタ特性を示す半導体装置を提供する。【解決手段】 Ta(OC2 H5 )5 を使って成膜したTa2 O5 膜を容量絶縁膜とするDRAMキャパシタ下部に導電材料を埋積してセルコンタクト・プラグ30を形成したコンタクトホールの底部を除くシリコン基板12ないしワード線22の上面及び側面に、膜厚100ÅのSi3 N4 膜62を容量絶縁膜(Ta2 O5 膜)を成膜する際のカーボン拡散防止膜として成膜する。

請求項（抜粋）：

カーボンを含む原料ガスを使って成膜した絶縁膜を有するトランジスタ構造をシリコン基板上に備えた半導体装置において、カーボンがシリコン基板側に拡散するのを防止する膜として、シリコン窒化膜が、前記絶縁膜と前記シリコン基板との間に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 A

Fターム (20件)：

5F083AD24 ,  5F083AD31 ,  5F083AD62 ,  5F083GA25 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR29 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-164639   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-306484   出願人：富士通株式会社