特許
J-GLOBAL ID：200903088561036489

窒化物系III-V族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法

発明者：
後藤 修

後藤 修 について

, 
浅野 竹春

浅野 竹春 について

, 
竹谷 元伸

竹谷 元伸 について

, 
喜嶋 悟

喜嶋 悟 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-193386
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007999
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 横方向成長された窒化物系III-V族化合物半導体層上にこれと格子定数の異なる窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる場合に、ストライプ形状の種結晶に垂直な方向にクラックが発生するのを防止する。【解決手段】 基板1の一主面上に第1の窒化物系III-V族化合物半導体層3を成長させ、これをパターニングして、基板1の縁から所定の距離までの部分における一主面上に第1の窒化物系III-V族化合物半導体層3を残すとともに、その内側の部分に種結晶となるストライプ形状の第1の窒化物系III-V族化合物半導体層3を形成する。これを種結晶として第2の窒化物系III-V族化合物半導体層を横方向成長させ、その上にレーザ構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる。
請求項（抜粋）：
基板の一主面上に成長された第1の窒化物系III-V族化合物半導体層をパターニングすることにより形成されたストライプ形状の種結晶を用いて上記基板上に第2の窒化物系III-V族化合物半導体層を横方向成長させた窒化物系III-V族化合物半導体基板において、上記基板の縁から所定の距離までの部分における上記一主面上に上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層が残されており、その内側の部分に上記種結晶が形成されていることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体基板。
IPC (5件)：
H01L 29/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (5件)：
H01L 29/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (53件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TC19 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA99 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DB01 ,  5F045DB04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM