特許
J-GLOBAL ID：200903088583961542
電界放出陰極、電子放出素子および電界放出陰極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255519
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090809
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】低電界動作が可能で、かつ微細構造の電界放出陰極を提供する。【解決手段】カーボンナノチューブ1をレジスト2に懸濁させてレジスト2中に分散させ、次いでレジスト2を導電性基板4上にコートし、次いでレジスト2の懸濁樹脂層5表面をカーボンナノチューブ1を残して選択的にエッチバックすることによりカーボンナノチューブ1の先端を突出させ、次いでコートされたレジスト2を硬化してレジスト2の電気抵抗を減少させる。
請求項（抜粋）：
少なくとも一部が導電性を有する基板と、この導電性基板上に形成され、複数の導電性極細物質が分散して形成されてなる非晶質の導電性樹脂由来炭素系マトリクス層とを具備してなり、前記導電性極細物質の先端が前記マトリクス層の表面から突出してなることを特徴とする電界放出陰極。
IPC (3件)：
H01J 1/304
, H01J 1/30
, H01J 9/02
H01J 1/30 F
, H01J 1/30 A
, H01J 9/02 B
