特許
J-GLOBAL ID：200903060922857049

エネルギアシステッド原子層堆積及び除去の方法

発明者：
ヘルムス ジュニア オーブレイ エル

ヘルムス ジュニア オーブレイ エル について

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カプキン ケレム

カプキン ケレム について

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リー サン イン

リー サン イン について

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センザキ ヨシヒデ

センザキ ヨシヒデ について


出願人/特許権者：
アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド

アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-516231
公開番号（公開出願番号）：特表2005-531151
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 半導体デバイス及びウェーハ上のエネルギアシステッド原子層堆積及びフィルム除去の方法を提供する。【解決手段】 エネルギアシステッド原子層堆積及び誘電体膜の除去の方法。一実施形態では、基板が反応チャンバに入れられ、ガス状前駆体が反応チャンバ内に導入される。エネルギは、ガス状前駆体のラジカル種を形成する電磁放射のパルスによってもたらされる。ラジカル種は、基板の表面と反応し、基板上にラジカル終端表面を形成する。反応チャンバがパージされ、第2のガス状前駆体が導入される。第2の電磁放射パルスが開始され、第2のラジカル種を形成する。第2のガスの第2のラジカル種は、表面と反応し、基板上にフィルムを形成する。代替的に、基板表面からの材料の除去をもたらすラジカルを生成するようにガス状種を選択することができる。
請求項（抜粋）：
反応チャンバにおいて基板上にフィルムを堆積する方法であって、 第1のガスを反応チャンバ内に導入する段階と、 前記第1のガスから基板の表面と反応して該基板上にラジカル終結表面を形成するラジカル種を形成するために、電磁照射の第1のパルスを開始する段階と、 前記反応チャンバをパージする段階と、 第2のガスを前記反応器内に導入する段階と、 前記第2のガスから前記ラジカル終結表面と反応して前記基板上にフィルムの層を形成する第2のラジカル種を形成するために、電磁照射の第2のパルスを開始する段階と、 を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L21/316 ,  H01L21/302
FI (2件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/302 201A
Fターム (12件)：
5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004BB03 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BD04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許仮出願出願番号第60/391,012号
  • 米国特許仮出願出願番号第60/396,743号
  • 米国特許仮出願出願番号第60/391,011号
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審査官引用 (3件)

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