窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038324
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294532
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】簡単な構造で自励発振を行うことが可能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】窒化物系半導体発光素子のIn0.3 Ga0.7 N/GaN多重量子井戸活性層105またはIn0.3 Ga0.7 N/GaN多重量子井戸活性層105に隣接するn型In0.1 Ga0.9 N/GaN多重量子井戸隣接層104を可飽和吸収領域にすることにより自励発振を生じさせるようにした、光ディスク記録の読み出し用光へッドとして実用可能な性能を満たした窒化物系半導体発光素子及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に活性層およびこれに隣接する隣接層を含む、六方晶系の結晶構造を有する3元以上のIII -V族化合物半導体からなる混晶層が積層形成された窒化物系半導体発光素子において、前記隣接層には、この隣接層を構成する1つの元素の濃度が周辺より高い島状領域が点在し、この島状領域の前記1つの元素の濃度は、前記六方晶系の結晶のC軸に垂直な方向での組成の変化が2nm以内で10パーセント以上異なり、また、前記島状領域の最大径が100nm以下であり、かつ前記島状領域の不純物濃度が周辺部の不純物濃度に比べて低いことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-289496 出願人：日本電信電話株式会社
特開平4-192584
半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-038403 出願人：日本電信電話株式会社

全件表示

審査官引用 (7件)

特開昭61-181185
半導体構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-289496 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭61-210690

全件表示

引用文献：

出願人引用 (3件)

審査官引用 (3件)

前のページに戻る