Ag膜の成膜方法および低放射ガラス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：花田吉秋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-280591
公開番号（公開出願番号）：特開2006-206424
出願日： 2005年09月27日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】高い可視光透過性をと高い遮熱性を有する低放射ガラスの作製を課題とする。【解決手段】 Ag膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が200〜350Vに保持し、Agターゲット表面の磁界の強さが、Ag膜の成膜時に、700〜1200エルステッドに保持して、Ag膜を成膜する。ガラス基板上に酸化物膜と前記Ag膜の成膜方法でなるAg膜とが交互に2n(n≧1)層をなし、かつ最上層のAg膜の上に酸化物膜が積層されてなる低放射ガラスである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

低放射ガラスに用いられるAg膜の成膜方法において、Ag膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が200〜350Vに保持されて成膜されることを特徴とするAg膜の成膜方法。

IPC (2件)：

C03C 17/36 , C23C 14/06

FI (2件)：

C03C17/36 , C23C14/06 N

Fターム (20件)：

4G059AA01 , 4G059AC06 , 4G059DA01 , 4G059DB02 , 4G059EA01 , 4G059EB04 , 4G059GA02 , 4G059GA04 , 4G059GA14 , 4K029AA09 , 4K029BA04 , 4K029BA49 , 4K029BB02 , 4K029BC07 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029EA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

低放射率透明積層体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-292435 出願人：日本板硝子株式会社, カーディナルアイジーカンパニー

審査官引用 (5件)

特開昭62-041740
有機EL素子の製造装置および有機EL素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-172886 出願人：ティーディーケイ株式会社
積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-166407 出願人：旭硝子株式会社

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