特許
J-GLOBAL ID：200903088677588802

多結晶シリコンおよびその製造方法

発明者：
山脇 健治

山脇 健治 について


出願人/特許権者：
住友チタニウム株式会社

住友チタニウム株式会社 について


代理人 (1件)： 森 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-279778
公開番号（公開出願番号）：特開2006-089353
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】輸送中に樹脂粉の混入を低減できる多結晶シリコンと、その多結晶シリコンを効率よく製造できる方法を提供する。 【解決手段】(1)多結晶シリコンを集合体とした際の安息角が39度以下であることを特徴とする多結晶シリコンである。(2)前記多結晶シリコンが粒径3〜50mmで構成されることを特徴とする(1)の多結晶シリコンである。(3)棒状多結晶シリコンを最大上昇速度が60°C/min以上で400〜1100°Cに加熱した後、100°C以下まで急冷却し、破砕するすることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法である。 【選択図】図2
請求項（抜粋）：
多結晶シリコンを集合体とした際の安息角が39度以下であることを特徴とする多結晶シリコン。
IPC (2件)：
C01B 33/02 ,  C30B 29/06
FI (2件)：
C01B33/02 E ,  C30B29/06 D
Fターム (17件)：
4G072AA01 ,  4G072BB05 ,  4G072BB12 ,  4G072DD01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072MM26 ,  4G072MM40 ,  4G072TT01 ,  4G072TT30 ,  4G072UU01 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EC02 ,  4G077HA12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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