特許
J-GLOBAL ID：200903088683574465
半導体発光装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-103381
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294525
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 電流狭窄層での寄生抵抗、容量の発生を回避する。【解決手段】 電流狭窄領域を有する半導体発光装置の製造方法において、その電流狭窄領域を質量を異にする2種以上のイオン種によるイオン注入によって少なくとも第1および第2の非晶質化層13Aおよび13Bを形成して、これらによって電流狭窄領域を形成する。
請求項（抜粋）：
電流狭窄領域を有する半導体発光装置の製造方法において、上記電流狭窄領域を、質量を異にする2種以上のイオン種によるイオン注入によって形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
