半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-206653
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056945
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】銅配線表面に導電性の配線保護膜を形成する半導体装置の製造方法において、選択的に銅配線表面に配線保護膜を形成し、信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】半導体集積回路の銅配線上に配線保護膜を形成し、銅配線表面に対して活性な還元剤を含む無電解めっき液で無電解めっき法により第一層目の配線保護膜を形成した後に、第二層目の配線保護膜を無電解めっき法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の銅配線上の配線保護膜を半導体装置の製造方法において、銅配線表面で活性な還元剤を含む無電解めっき液で第一層目の配線保護膜を形成した後に、第二層目の配線保護膜を無電解めっき法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/3205

FI (2件)：

H01L21/88 M , H01L21/88 R

Fターム (45件)：

5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP21 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-319839 出願人：株式会社荏原製作所, 荏原ユージライト株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-378427 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-211810 出願人：セイコーエプソン株式会社

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