半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：渡邉勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-319839
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124217
出願日： 2001年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】埋め込み配線を表面のみを、配線の熱拡散防止効果に優れた一定の膜厚の保護膜で選択的に覆って、配線の熱拡散を有効に防止することができるようにする。【解決手段】埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線8の表面に、配線の熱拡散を防止する保護膜成膜用の前処理を施して、例えばシード層9を形成し、この前処理を施した配線8の表面に保護膜10を選択的に形成した。

請求項（抜粋）：

埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の表面に、配線の保護膜成膜用の前処理を選択的に施し、この前処理を施した配線の表面に保護膜を選択的に形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 , C23C 18/16 , C23C 18/18 , C23C 18/31 , H01L 21/288 , H01L 21/768

FI (6件)：

C23C 18/16 B , C23C 18/18 , C23C 18/31 A , H01L 21/288 M , H01L 21/88 M , H01L 21/90 A

Fターム (35件)：

4K022AA05 , 4K022BA04 , 4K022BA06 , 4K022BA16 , 4K022BA24 , 4K022BA32 , 4K022CA11 , 4K022CA28 , 4K022DA03 , 4K022DB03 , 4M104BB04 , 4M104DD53 , 4M104FF17 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK00 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033XX20 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-040738 出願人：ソニー株式会社
相互接続用の2重層低誘電性バリアを形成する方法および形成された装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-033861 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
銅接続用の障壁エンハンスメント工程
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-505996 出願人：マトソンテクノロジーインコーポレーテッド

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審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-040738 出願人：ソニー株式会社
相互接続用の2重層低誘電性バリアを形成する方法および形成された装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-033861 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
銅接続用の障壁エンハンスメント工程
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-505996 出願人：マトソンテクノロジーインコーポレーテッド

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