特許
J-GLOBAL ID：200903013036739223

半導体装置及びその製造方法

発明者：
野上 毅

野上 毅 について

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瀬川 雄司

瀬川 雄司 について

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駒井 尚紀

駒井 尚紀 について

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堀越 浩

堀越 浩 について

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大岡 豊

大岡 豊 について

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由尾 啓

由尾 啓 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-378427
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179000
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 バリア膜の酸化を確実に防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 銅を含む金属配線上に、無電解メッキ法により銅拡散防止機能を有するバリア膜を形成し、その上に連続して無電解メッキ法によりバリア膜の酸化防止膜を形成する。バリア膜は、例えばコバルト合金、ニッケル合金からなる。酸化防止膜は、コバルト、コバルト合金、ニッケル、ニッケル合金等がシリサイド化された膜である。酸化防止膜は、酸素を含まない雰囲気中で熱処理を施すことにより、あるいはアルゴンイオン照射によりシリサイド化する。
請求項（抜粋）：
銅を含む金属配線上に、無電解メッキ法により銅拡散防止機能を有するバリア膜が形成され、その上に前記バリア膜の酸化防止膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/288 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/34 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205
FI (7件)：
H01L 21/288 Z ,  C23C 18/16 B ,  C23C 18/31 A ,  C23C 18/34 ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/88 R
Fターム (73件)：
4K022AA02 ,  4K022AA05 ,  4K022BA06 ,  4K022BA12 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA24 ,  4K022CA07 ,  4K022CA26 ,  4K022DA03 ,  4K022DB02 ,  4K022DB06 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD84 ,  4M104EE08 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF18 ,  4M104FF21 ,  4M104HH08 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK15 ,  5F033KK25 ,  5F033LL06 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28
引用特許：
出願人引用 (24件)
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審査官引用 (8件)
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