半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177032
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026863
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの長寿命化。【解決手段】半導体レーザの出射面を覆う端面コーティング膜の下に水素が添加された水素供給膜が設けられている。前記水素供給膜は水素が添加された窒化シリコン膜で構成されている。前記窒化シリコン膜はシランガス又はジシランガスに窒素ガス又はアンモニアガスを添加したプラズマCVD法によって作製された膜である。前記出射面と前記水素供給膜との間に非晶質シリコン膜又は多結晶シリコン膜が配置されている。

請求項（抜粋）：