放射線検出装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉谷勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102528
公開番号（公開出願番号）：特開2000-230981
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】検出エリアの大面積化と放射線検出感度の向上とを図る。【解決手段】この発明の放射線検出装置は、正孔hのμτ積(移動度×平均寿命)が電子eのμτ積よりも大きなn型の高比抵抗のアモルファスまたは多結晶の半導体層1Aを備え、表面電極に負のバイアス電圧を印加し、表面電極側に電子注入阻止構造2Aを設け、キャリア収集電極側に正孔注入許容構造3Aを設けた構成を備えており、放射線検出の際、表面電極側から半導体層1Aへ多数キャリアである電子eは注入されないが、キャリア収集電極側から少数キャリアである正孔hが注入される結果、注入による正孔hの分だけ感度の向上が図られると同時に、半導体層1Aがアモルファスまたは多結晶であるので大面積化が図られる。

請求項（抜粋）：

放射線が入射することにより電荷移動媒体(キャリア)が生成される放射線感応型の半導体層の表裏面にそれぞれ電極が形成されていて、一方の電極(電圧印加電極)に負のバイアス電圧が印加されるとともに、他方の電極(キャリア収集電極)に電荷蓄積用のコンデンサと通常時オフ(OFF)状態のスイッチ素子を介して電荷-電圧変換手段とが接続されていて、放射線照射に伴ってコンデンサに蓄積された電荷が、オン(ON)状態へ移行したスイッチ素子を経由して電荷-電圧変換手段から放射線検出信号である電圧信号として読み出されるよう構成された放射線検出装置において、前記半導体層は、半導体層内の生成キャリアである電子と正孔それぞれの移動度(μ)と平均寿命(τ)の積の値(μτ積)に関して、正孔のμτ積の方が電子のμτ積よりも大きいとともに、n型の高比抵抗のアモルファスまたは多結晶からなる半導体層であり、かつ、電圧印加電極サイドには電子の注入を阻止する構造が設けられており、キャリア収集電極サイドには正孔の注入を許容する構造が設けられていることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (2件)：

G01T 1/24 , H01L 31/09

FI (2件)：

G01T 1/24 , H01L 31/00 A

Fターム (15件)：

2G088EE01 , 2G088EE27 , 2G088FF02 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ32 , 5F088AA01 , 5F088BA01 , 5F088BA20 , 5F088BB03 , 5F088BB07 , 5F088DA15 , 5F088KA03 , 5F088KA08 , 5F088LA07

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭60-070774
特開昭56-087380
特開昭64-084176

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