特許
J-GLOBAL ID:200903088798238434

光ファイバと光電子素子との受動的位置合わせのための方法およびデバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外7名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-571152
公開番号(公開出願番号):特表2003-529213
出願日: 2001年03月27日
公開日(公表日): 2003年09月30日
要約:
【要約】本発明は、光ファイバと光電子素子との受動的位置合わせのための方法およびデバイスに関するものである。本発明においては、基板層と第1層と少なくとも1つの活性領域を有する第2層とを備えてなる少なくとも1つの光電子素子を使用し、この素子を、第2層が支持体を向くようにして支持体上に配置し、素子を、コーティング材料によって、支持体を起点として第1層を超える高さ位置にまで少なくとも部分的にコーティングし、活性領域に対向した基板部分を第1層の高さ位置にまで選択的に除去し、これにより、光ファイバの端部を受領し得るキャビティを形成する。
請求項(抜粋):
少なくとも1つの光ファイバ(32)と、少なくとも1つの活性領域(16)を有した少なくとも1つの光電子素子と、の受動的位置合わせ方法であって、 -基板(11)をなす層と、この基板の除去プロセスに対して耐え得る第1層(12)と、少なくとも1つの活性領域を有する第2層(14)であって前記活性領域が前記第1層とは反対側に位置しかつ前記第1層に関して透明であるような光ビームを放出または検出するために使用されるものとされている第2層(14)と、を備えてなる少なくとも1つの光電子素子(10,50,43,52,62)を使用し、 -前記光電子素子を、前記第2層が支持体(24,48,45,54)に対して対向するようにして、前記支持体上に配置し、 -前記光電子素子を、コーティング材料(30)によって、前記支持体を起点として前記第1層を超える高さ位置にまで、少なくとも部分的にコーティングし、 -前記基板の少なくとも一部と、前記コーティング材料のうちの、前記基板の当該一部の上方に位置している対応部分と、を前記第1層の高さ位置にまで選択的に除去し、この場合、この除去を、前記活性領域の反対側において行い、これにより、前記活性領域に対向した部分に関して前記第1層の高さ位置までの露出を行い、これにより、少なくとも1つの光ファイバの端部を受領し得るとともにこの端部の挿入によって前記光ファイバと前記光電子素子との位置合わせを行い得るキャビティを形成する、ことを特徴とする方法。
IPC (4件):
H01S 5/022 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/0232 ,  H01S 5/183
FI (4件):
H01S 5/022 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/183 ,  H01L 31/02 C
Fターム (31件):
2H037BA02 ,  2H037BA05 ,  2H037BA11 ,  2H037BA14 ,  2H037DA04 ,  2H037DA06 ,  2H037DA11 ,  2H037DA17 ,  5F073AA53 ,  5F073AA89 ,  5F073AB04 ,  5F073AB17 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29 ,  5F073FA07 ,  5F073FA30 ,  5F088AA20 ,  5F088BA16 ,  5F088BA18 ,  5F088BB01 ,  5F088CB14 ,  5F088DA01 ,  5F088EA03 ,  5F088EA14 ,  5F088HA20 ,  5F088JA03 ,  5F088JA09 ,  5F088JA14
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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