特許
J-GLOBAL ID:200903088803199582
薄膜磁気センサ及びその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
上野 登
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-151525
公開番号(公開出願番号):特開2004-354182
出願日: 2003年05月28日
公開日(公表日): 2004年12月16日
要約:
【課題】絶縁基板の表面に対して垂直方向の外部磁界を検出可能な薄膜磁気センサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る薄膜磁気センサ41は、軟磁性材料からなり、かつギャップ44cを介して対向させた一対の薄膜ヨーク(A、B)44a、44bと、一対の薄膜ヨーク(A、B)44a、44bと電気的に接続されるようにギャップ44c間に形成された、軟磁性材料より高い電気比抵抗を有するGMR膜46と、これらを支持する絶縁基板42とを備え、絶縁基板42は、その表面に凹部42aを有し、薄膜ヨーク(A、B)44a、44bは、その感磁軸が絶縁基板42の表面に対して平行にならないように、凹部42aの側面に形成されていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
軟磁性材料からなり、かつギャップを介して対向させた一対の薄膜ヨーク(A)及び薄膜ヨーク(B)と、
該一対の薄膜ヨーク(A)及び薄膜ヨーク(B)と電気的に接続されるように前記ギャップ間に形成された、前記軟磁性材料より高い電気比抵抗を有するGMR膜と、
前記薄膜ヨーク(A)及び薄膜ヨーク(B)、並びに前記GMR膜を支持する絶縁性・非磁性材料からなる絶縁基板とを備えた薄膜磁気センサであって、
前記薄膜ヨーク(A)及び前記薄膜ヨーク(B)は、その感磁軸の少なくとも1つが前記絶縁基板の表面に対して平行にならないように、前記絶縁基板上に形成されている薄膜磁気センサ。
IPC (2件):
FI (2件):
G01R33/06 R
, H01L43/08 Z
Fターム (6件):
2G017AA03
, 2G017AA16
, 2G017AB04
, 2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
薄膜磁界センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-367822
出願人:財団法人電気磁気材料研究所
前のページに戻る