特許

J-GLOBAL ID：200903088828923048

プラズマ処理装置

発明者： 奥村 裕 ,  野沢 俊久 ,  石橋 清隆
出願人/特許権者： 株式会社エフオーアイ ,  株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 佐藤 香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-330953
公開番号（公開出願番号）：特開平11-149998
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理を均一に行う。【解決手段】プラズマ処理空間13に向けて排気口16を開いた排気路28を一方の平板11やプラズマ発生空間22側の第2機構21に形成する。また、排気口16を分散させる。これにより、処理済ガスの排気されるまでの移動距離に関しプラズマ処理空間の中央部と周辺部とでの差異が減少し、その結果、プラズマや処理ガスの均一供給によって得られる均一性を超えた均一性が得られる。

請求項（抜粋）：

一方の平板に処理ガス供給口の形成された対向する一対の平行平板の間にプラズマ処理空間を形成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置装置において、前記プラズマ処理空間に向けて排気口を開いた排気路が前記一方の平板に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

H05H 1/46 M ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体製造装置及び半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-071146   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-219082
  
• 特開昭61-174388
  
• 特開昭60-039832
  
• 減圧処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-338857   出願人：東京エレクトロン株式会社