特許
J-GLOBAL ID：200903088853535338
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260740
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076519
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザに関し、電子ブロック層の歪みに起因する半導体レーザのしきい値電流の増加を簡単な手段で抑止しようとする。【解決手段】 多重量子井戸活性層14を含んで積層された各半導体層、即ち、n側クラッド層12、n側SCH層13、多重量子井戸活性層14、電子ブロック層15、p側SCH層16、p側クラッド層17、p側コンタクト層18が窒化物半導体で構成されてSCH構造をもつ半導体レーザに於いて、多重量子井戸活性層14とp側SCH層16との間に介在しIn、P、Asのうちの少なくとも一つの元素を含む窒化物半導体からなる電子ブロック層15を備える。
請求項（抜粋）：
活性層を含んで積層された各半導体層が窒化物半導体で構成されてSCH構造をもつ半導体レーザに於いて、前記活性層と前記SCH層との間に介在しIn、P、Asのうちの少なくとも一つの元素を含む窒化物半導体からなる電子ブロック層を備えてなることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (12件)：
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073CA07
, 5F073CB04
, 5F073CB20
, 5F073DA24
, 5F073DA35
, 5F073EA23
