特許
J-GLOBAL ID：200903088860527332

磁気検出素子及びその製造方法

発明者：
長谷川 直也

長谷川 直也 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089391
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289945
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 従来の磁気検出素子では、磁気的なトラック幅(Mag-Tw)が広がり、前記磁気的なトラック幅の狭小化を図ることができなかった。【解決手段】 フリー磁性層29の両側にハードバイアス層36を対向させ、前記フリー磁性層29の上面に所定の間隔を開けて強磁性層59及び第2の反強磁性層60を形成する。これにより前記フリー磁性層29の磁化は両側端部29aは適切にトラック幅方向に固定され、磁気的なトラック幅(Mag-Tw)を光学的なトラック幅(Opti-Tw)にほぼ合わせることができ、前記磁気的なトラック幅の狭小化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
下から順に、第1の反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層を有して積層された多層膜を有する磁気検出素子において、前記フリー磁性層のトラック幅方向の両側にはバイアス層が対向して形成され、前記フリー磁性層の上にはトラック幅方向に間隔を開けて第2の反強磁性層が形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/12
FI (7件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (17件)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BA21 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12
引用特許：
審査官引用 (2件)

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