特許

J-GLOBAL ID：200903088919394692

非可逆回路素子

発明者： 堀口 秀人 ,  杉山 雄太 ,  岸本 靖
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-173268
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064309
出願日： 2001年06月07日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 小型で方向性結合器の機能を備えた高性能な非可逆回路素子を提供する。【解決手段】 フェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に直流磁界を印加する永久磁石と、一端を共通端子とし他端を入出力端子とする複数の中心導体を前記フェリ磁性体に巻回し、又は、中心導体の少なくとも一部を埋設形成した組立体と、前記入出力端子と接続する整合容量を積層形成した誘電体基板を備えた非可逆回路素子であって、前記誘電体基板には広がりを有する導体層で形成されたグランド電極と、誘電体層を介して前記グランド電極と対向配置された導体層で形成された整合容量用電極と、該整合容量用電極と連続して形成された第1の結合電極と、誘電体層を介して前記第1の結合電極と対向配置された導体層で形成された第2の結合電極を具備することを特徴とした。

請求項（抜粋）：

フェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に直流磁界を印加する永久磁石と、一端を共通端子とし他端を入出力端子とする複数の中心導体を前記フェリ磁性体に巻回し、又は、中心導体の少なくとも一部を埋設形成した組立体と、前記入出力端子と接続する整合容量を積層形成した誘電体基板を備えた非可逆回路素子であって、前記誘電体基板には広がりを有する導体層で形成されたグランド電極と、誘電体層を介して前記グランド電極と対向配置された導体層で形成された整合容量用電極と、該整合容量用電極と連続して形成された第1の結合電極と、誘電体層を介して前記第1の結合電極と対向配置された導体層で形成された第2の結合電極を具備することを特徴とする非可逆回路素子。

IPC (2件)：

H01P 1/36 ,  H01P 1/383

FI (2件)：

H01P 1/36 A ,  H01P 1/383

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 非可逆回路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156898   出願人：太陽誘電株式会社
• 非可逆回路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-034174   出願人：株式会社村田製作所
• 非可逆回路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-236648   出願人：株式会社村田製作所