特許
J-GLOBAL ID：200903088922721840
プラズマCVDによる成膜方法、電子放出源、電界放射型ディスプレイおよび照明ランプ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-181070
公開番号（公開出願番号）：特開2007-002279
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】ダイヤモンド結晶の結晶粒子の粒径を制御してターゲット表面にナノダイヤモンド膜を成膜することができる成膜方法を提供する。【解決手段】炭化水素および水素を含む反応ガス雰囲気内の圧力を反応ガスを徐々に導入して昇圧しかつプラズマ発生用電力を徐々に印加して昇温する前処理工程と、前処理工程後に圧力と温度とを所要状態に維持してターゲット表面にダイヤモンド結晶を成長させる本処理工程とを備え、前処理工程では窒素ガスを添加してダイヤモンド結晶成長用初期核の発生密度を制御し、本処理工程では窒素ガスを間歇的に導入してダイヤモンド結晶成長用二次核の発生密度を制御する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空下に反応ガスを導入し、直流電圧を印加してプラズマ化させて反応させ、ターゲット表面にダイヤモンド結晶の成長によるダイヤモンド膜を成膜するプラズマCVDによる成膜方法において、プラズマ中にアルゴンガスを導入し、この導入により発生したアルゴンイオンをダイヤモンド結晶の結晶面に衝突させて該結晶面に多数の点欠陥を発生させるとともに、この点欠陥によりダイヤモンド結晶成長用二次核を大量に生成させてダイヤモンド結晶の粒径増大を抑制する、ことを特徴とするプラズマCVDによる成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 16/27
, C23C 16/503
, H01J 9/02
, H01J 1/304
C23C16/27
, C23C16/503
, H01J9/02 B
, H01J1/30 F
4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030BB03
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA05
, 4K030DA02
, 4K030DA08
, 4K030FA01
, 4K030LA12
, 5C127AA01
, 5C127BA09
, 5C127BA15
, 5C127BB05
, 5C127BB06
, 5C127CC03
, 5C127DD09
, 5C127DD99
, 5C127EE03
, 5C127EE04
, 5C127EE16
, 5C135AA09
, 5C135AA15
, 5C135AB05
, 5C135AB06
, 5C135HH03
, 5C135HH04
, 5C135HH16
