特許
J-GLOBAL ID：200903088937778350
シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021410
公開番号（公開出願番号）：特開平11-199387
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ウエーハ全域において成長欠陥がなく、しかも酸素析出量のばらつきの少ない、高品質のシリコン単結晶を、共通性と一般性を持った変数である引き上げ速度P を制御しつつ結晶を引き上げることによって製造する方法とその方法によって製造されるシリコン単結晶を提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、結晶引き上げ速度を、原子空孔過剰であるが成長欠陥のない領域から格子間シリコン原子過剰であるがその凝集体の存在しない領域への遷移が起こる遷移引き上げ速度Pcと、格子間シリコン原子過剰であるがその凝集体の存在しない領域から格子間シリコン原子の凝集体が存在する領域への遷移引き上げ速度Piとの間で制御しながら結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法、およびこの方法で得られるシリコン単結晶、シリコン単結晶ウエーハ。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、格子間シリコン原子過剰であるがその凝集体の存在しない領域で結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/20
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
