電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-158432
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330584
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】信頼性・耐圧にすぐれ、不純物拡散抑制効果があり、界面準位や固定電荷の増加がないゲート絶縁膜を有する電界効果トランジスタとその製造方法を提供することにある。【構成】シリコン基板1上に、シリコン酸化膜2が形成され、さらにこの上に窒素含有多結晶シリコン3が設けられ、シリコン酸化膜2と多結晶シリコン3との境界に窒素含有シリコン酸化膜層4が形成されている電界効果トランジスタ。半導体基板上に、酸化膜を形成し、この酸化膜上に窒素を含有する多結晶シリコン膜を形成し、ついで半導体基板と熱処理する電界効果トランジスタの製造方法。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコン膜とシリコン酸化膜の境界近傍のシリコン酸化膜中の窒素含有量が、シリコン半導体基板とシリコン酸化膜の境界近傍のシリコン酸化膜中の窒素含有量より多いことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/322 , H01L 21/324

FI (5件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/316 S , H01L 21/318 B , H01L 21/322 P , H01L 21/324 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-180671 出願人：株式会社日立製作所
特開昭52-146567
特開平4-157766

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