特許
J-GLOBAL ID：200903088965538887
コランダム型結晶相を含むITO膜の製造方法及び該方法で成膜した透明電極用ITO膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235421
公開番号（公開出願番号）：特開2004-075427
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】複雑な工程を経ずに良好なコランダム型結晶相を含むITO膜を形成することができるITO膜の製造方法及び該方法で形成された透明電極用ITO膜の提供。【解決手段】溶液中の金属成分の比率が1.0mol/l、金属成分中のスズの原子数比が5〜10atm.%になるように、塩化インジウム及び塩化スズからなる原材料をエタノールに溶かした溶液を作製し、常圧下において、200〜500°Cに加熱した基板上に、アトマイザーを用いて溶液をスプレー塗布し、溶液の塗布により低下した基板の温度が復帰するまで待機する処理を繰り返し行うものであり、低抵抗、かつ、紫外線照射や高湿度条件における透過率や抵抗値の変化が小さいコランダム型結晶相を含むITO膜を形成することができ、このITO膜を透明電極膜として用いることにより、表示装置や太陽電池等の信頼性を向上させることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
塩化インジウム及び塩化スズからなる原材料を溶媒に溶かした所定の成分比率の溶液を作製し、常圧下において、所定の温度に加熱した基板上に前記溶液を塗布してコランダム結晶相を含むITO膜を形成することを特徴とするITO膜の製造方法。
IPC (4件)：
C01G19/00
, C23C18/12
, H01B5/14
, H01B13/00
C01G19/00 A
, C23C18/12
, H01B5/14 A
, H01B13/00 503B
4K022AA05
, 4K022BA10
, 4K022BA15
, 4K022BA21
, 4K022BA33
, 4K022CA13
, 4K022CA24
, 4K022DA06
, 4K022DB24
, 5G307FB01
, 5G307FC03
, 5G307FC10
, 5G323BA03
, 5G323BB02
