特許
J-GLOBAL ID：200903088981031253

磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置

発明者：
添谷 進

添谷 進 について

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高橋 宏昌

高橋 宏昌 について

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早川 純

早川 純 について

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伊藤 顕知

伊藤 顕知 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-246095
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087745
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】従来構造より高出力(高MR比)なCPP-GMR構造の磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】少なくとも、下部電極100上に、シード層200と、外部磁界に応じて磁化方向が自由に変化する自由層300と、導電性非磁性中間層400と、極薄CrO2膜、或いはLSMO膜501と、Fe3O4膜500と、金属強磁性膜600と、反強磁性膜700(或いは、Ru膜/金属強磁性膜/反強磁性膜で構成しても良い。いわゆる、「積層フェリ」。)と、上部電極800と、を順次積層してなる磁性積層膜を含み、構成されることを特徴とするCPP-GMR素子とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
外部磁界に応じて磁化方向が自由に変化する自由層と、導電性非磁性中間層と、CrO2膜又は極薄LaSrMnO3膜と、Fe3O4膜と、金属強磁性膜と、反強磁性膜とを順次積層した磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/20 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10
FI (7件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/20 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  G01R33/06 R
Fターム (10件)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BB12 ,  5D034CA08 ,  5E049AB03 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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