特許
J-GLOBAL ID：200903088983548660

酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた発光素子及びこれを用いた画像表示装置

発明者：
林 享

林 享 について

, 
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074631
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250984
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】電子キャリア濃度が1018/cm3未満の酸化物を用いたTFTを有し、安定的に動作する発光素子を提供する。【解決手段】発光素子は、基板101上に青、緑、及び赤の光の3原色に対応する青色画素領域a1、緑色画素領域a3、及び赤色画素領域a2を有する画素領域を備える。この画素領域に、ソース電極105、ドレイン電極100、ゲート電極104、ゲート絶縁膜103、及び活性層102を有するTFT11と、発光層108と、この発光層108を挟む下部電極107及び対向電極109とを有する。活性層108は、酸化物で構成される。ドレイン電極100は、下部電極107を介して発光層108の一部に電気的に接続される。TFT11は、基板101上の青色画素領域a1を除く領域、例えば赤色画素領域a2に配置される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に青、緑、及び赤の光の3原色に対応する青色画素領域、緑色画素領域、及び赤色画素領域を有する画素領域を備え、前記画素領域に、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び活性層を有する薄膜トランジスタと、発光層と、この発光層を挟む下部電極及び対向電極とを有する発光素子において、 前記活性層が酸化物で構成され、 前記ドレイン電極が前記発光層の一部に電気的に接続され、 前記薄膜トランジスタが前記基板上の前記青色画素領域を除く領域に配置されていることを特徴とする発光素子。
IPC (5件)：
H01L 51/50 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/28
FI (5件)：
H05B33/14 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612D ,  H05B33/02 ,  H05B33/28
Fターム (47件)：
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD02 ,  3K107DD03 ,  3K107DD04 ,  3K107DD22 ,  3K107DD46X ,  3K107EE04 ,  3K107EE07 ,  3K107FF06 ,  5F110AA06 ,  5F110AA21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HL01 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 国際公開第2005/088726号パンフレット
  • 半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団
  • 有機ELディスプレイ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-275929   出願人：出光興産株式会社

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