特許
J-GLOBAL ID:200903088996122174
薄膜形成用炭素ターゲット材及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小林 雅人 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-061819
公開番号(公開出願番号):特開平7-286269
出願日: 1995年02月24日
公開日(公表日): 1995年10月31日
要約:
【要約】【目的】 従来技術の難点を解決し、スパッタリング中に異常放電を起こして、汚染につながる粉体等を発生したりすることがなく、しかも高純度の薄膜形成用炭素ターゲット材を提供することを目的とする。【構成】 本発明の薄膜形成用炭素ターゲット材は、ポリカルボジイミド樹脂を原料として製造したガラス状炭素からなることを特徴とし、又、本発明の薄膜形成用炭素ターゲット材の製造方法は、ポリカルボジイミド樹脂或いは主としてポリカルボジイミド樹脂よりなる組成物を適宜の形状に成形し、次いで該成形物を炭素化することを特徴とする。
請求項(抜粋):
ポリカルボジイミド樹脂を原料として製造したガラス状炭素からなることを特徴とする薄膜形成用炭素ターゲット材。
IPC (2件):
C23C 14/34
, C01B 31/02 101
引用特許:
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