特許

J-GLOBAL ID：200903088996412938

III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： 猪口 和彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-111932
公開番号（公開出願番号）：特開2005-229132
出願日： 2005年04月08日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】 エッチング技術を用いずにIII族窒化物系化合物半導体発光素子のIII族窒化物系化合物半導体薄膜の端面、素子分離および電極形成をすることができるIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上またはIII族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する工程と、基板またはIII族窒化物系化合物半導体の上にIII族窒化物系化合物半導体層の積層膜であるIII族窒化物系化合物半導体薄膜を誘電体膜よりも厚く選択成長させる工程とを含み、III族窒化物系化合物半導体薄膜は誘電体膜の膜厚以上の領域で広がって成長し、その両端部に斜め角度を有する端面が形成されることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

基板上またはIII族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する工程と、 前記基板または前記III族窒化物系化合物半導体の上に、III族窒化物系化合物半導体層の積層膜であるIII族窒化物系化合物半導体薄膜を前記誘電体膜よりも厚く選択成長させる工程とを含み、 前記III族窒化物系化合物半導体薄膜は前記誘電体膜の膜厚以上の領域で広がって成長し、その両端部に斜め角度を有する端面が形成されることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01S5/323 610

Fターム (47件)：

5F041AA04 ,  5F041AA13 ,  5F041AA31 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CB04 ,  5F041CB05 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F173AA21 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH49 ,  5F173AL10 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL19 ,  5F173AP05 ,  5F173AP13 ,  5F173AP20 ,  5F173AP24 ,  5F173AP33 ,  5F173AP47 ,  5F173AP62 ,  5F173AP76 ,  5F173AP78 ,  5F173AP79 ,  5F173AP86 ,  5F173AR92 ,  5F173AR93 ,  5F173AR96

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭56-150880号公報
  

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-263782   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-233897   出願人：富士ゼロツクス株式会社