特許
J-GLOBAL ID：200903089027228069
薄膜転移及び薄膜分離方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-344701
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244444
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ウェハーのサイズに等しい転移エリア、サブマイクロメートル次元の厚さ及びVLSI基準に準じる平坦度を有し、欠陥密度が低い同種または異種基板における薄膜転移方法を提供する。【解決手段】 先ずイオン注入処理を施しイオン分離層20を形成する。その後ウェハー結合法を施して需要基板14を供給基板10と結合させ結合構造を形成する。高エネルギーイオン活性化24により注入イオンが微泡化され亀裂を充填する。結果、薄膜12が分離され且つ前記需要基板14に転移する。また、高エネルギーイオン活性化24による熱を吸収する冷却装置26を設け、結合構造に対しての異種材質の異なる熱膨脹率による損害を防止する。
請求項（抜粋）：
供給基板を提供する段階と、イオン注入処理を施して、該供給基板をイオンを受ける部分としての薄膜と前記供給基板内の薄膜以外部分の残留基板とに分けるイオン分離層が形成される段階と、ウェハー結合法を施して、前記供給基板と需要基板を結合させ結合構造を形成する段階と、高周波数交流電界または高周波数交流電磁界を以って前記残留基板から前記薄膜を分離且つ前記薄膜を前記供給基板の表面から前記需要基板の表面に転移する段階とからなる薄膜転移方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/265
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/265 Q
