特許

J-GLOBAL ID：200903089029595441

窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 長濱 慎一
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-098976
公開番号（公開出願番号）：特開2003-283057
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 従来例に比較してさらに出力と素子信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 Inを含む窒化物半導体からなる活性層と、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-</SB><SB>x</SB>N(0<x<1)からなりかつ活性層に接して形成されたp型キャップ層とを備えた窒化物半導体発光素子であって、p型キャップ層は、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)からなり活性層に接して形成された第1のp型窒化物半導体層と、Al<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0<b<1)からなり第1のp型窒化物半導体層より結晶欠陥の少ない第2のp型窒化物半導体層とを含んでなり、かつp型キャップ層全体の厚さが10Å以上1000Å以下に設定されている。

請求項（抜粋）：

少なくともn型窒化物半導体からなるn型クラッド層、Inを含む窒化物半導体からなる活性層、及びp型窒化物半導体からなるp型クラッド層とを備えた窒化物半導体発光素子において、前記活性層とp型クラッド層との間に、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)からなりかつ前記p型クラッド層よりエネルギーギャップの大きい第1のp型窒化物半導体層と、Al<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0<b<1)からなる第2のp型窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (40件)：

5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-020907   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Dio