被膜作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058333
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232250
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【目的】配線電極のステップカバレジを向上させ、ゲート絶縁膜とその上に形成されるゲート電極との間の界面での電気特性を向上させること。【構成】基板上に形成された絶縁膜に対して真空状態において、加熱処理した後、絶縁膜上に金属膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜に対して、10-5torr以下の真空状態において、250°C〜400°Cの範囲で加熱処理を施した後、絶縁膜上に金属膜を形成すること特徴とする被膜作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , H01L 21/31 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/28 A , H01L 21/31 C , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る