特許
J-GLOBAL ID：200903089045597659

均一電界分布型プラズマ処理装置

発明者：
篠原 己抜

篠原 己抜 について


出願人/特許権者：
日本高周波株式会社

日本高周波株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 隆二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-144791
公開番号（公開出願番号）：特開2001-321662
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：
【要約】【課題】 大面積のウェーファー面上におけるプラズマの電子密度およびその分布の均一化を図るために、ウェーファー面上の電磁界分布を均一化する手段として、均一電界分布型プラズマ処理装置を提供する【解決手段】 平板電極の周囲に、複数個の素子を配置してそれぞれを該電極に電気的に接続し、該電極に高周波電力を給電し、各素子のインピーダンスの値を該電極の電界分布が均一になるように選定する。給電する高周波電力を周波数の異なった複数の電力とし、各素子のインピーダンスの値を、それぞれの高周波電力の周波数に対応して電極の電界分布が均一になるように最適な値に選ぶ。複数の電力として基本周波数およびその奇数倍附近の周波数を用いるのは好適である。
請求項（抜粋）：
高周波を用いるプラズマ処理装置の平板電極の周囲に、複数個の素子を配置してそれぞれを該電極に電気的に接続し、該電極に中心または周辺部より高周波電力を給電し、前記各素子のインピーダンスの値を該電極の電界分布が均一になるように選定することにより、大きな面積のプラズマ処理を均一に行うことを特徴とする均一電界分布型プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B
Fターム (20件)：
4G075AA30 ,  4G075BA01 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075EB42 ,  4K030FA03 ,  4K030HA07 ,  4K030JA18 ,  4K030KA30 ,  4K030KA32 ,  4K030KA45 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045EH06 ,  5F045EH20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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