特許
J-GLOBAL ID：200903089049472141
弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006964
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199968
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 耐電力性に優れている弾性表面波素子用薄膜電極を得る。【解決手段】 デュアルイオンビームスパッタリング装置1を使用して、圧電体であるタンタル酸リチウム基板12の表面にアルミニウム薄膜13を形成する。すなわち、アシスト用イオンソース4からアシスト用イオンビーム21をタンタル酸リチウム基板12の表面に照射してイオンアシストをしつつ、スパッタリング用イオンソース3からスパッタリング用イオンビーム22をアルミニウムターゲット11に照射して発生させたスパッタリング原子をタンタル酸リチウム基板の表面に堆積させ、アモルファス層とこのアモルファス層上の単結晶層とからなるアルミニウム薄膜13を形成する。
請求項（抜粋）：
圧電体基板上に形成されたアモルファス層と、このアモルファス層上に形成された単結晶層又は配向層とを備えたことを特徴とする弾性表面波素子用薄膜電極。
IPC (6件)：
H03H 3/08
, C30B 23/08
, C30B 29/02
, C30B 29/52
, H01L 41/09
, H03H 9/145
H03H 3/08
, C30B 23/08 Z
, C30B 29/02
, C30B 29/52
, H03H 9/145 C
, H03H 9/145 Z
, H01L 41/08 L
