特許
J-GLOBAL ID：200903089063468246
回転プロセッサを利用した薄膜蝕刻方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
入交 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-207554
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055625
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】回転プロセッサを利用した薄膜蝕刻方法を提供する。【解決手段】主に回転蝕刻プロセッサ上において、先ず純水及び蝕刻溶液でウエハを湿潤させ、ウエハ表面の汚染物及び薄膜表層を除去する。続いて、低速(約0〜50rpm)で回転し、蝕刻溶液を注入し、ウエハ表面に堆積させ、蝕刻溶液をウエハ上に留まらせる。さらに、低速(約0〜50rpm)で回転し、蝕刻溶液をウエハ上から離脱しないように滞留させてパドル湿式蝕刻を行う。蝕刻完成後、回転を加速し、純水を注入し洗浄する。最後にIPAにより水分を除去し、高速でウエハの水分を完全に除去する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
主に薄膜のパドル湿式蝕刻方法であって、以下のステップを含み、
ステップaでは、ウエハを回転蝕刻プロセッサに設置し、800〜1200rpmで回転させ、
ステップbでは、ウエハを800〜1200rpmで回転させながら、純水を注入し、ウエハを湿潤させ、
ステップcでは、回転速度800〜1200rpmでウエハの正面及び側背面を蝕刻し、表層の薄膜を除去し、
ステップdでは、蝕刻溶液の注入を止め、回転速度800〜1200rpmに維持してウエハ上の蝕刻溶液を回転で振り払い、
ステップeでは、第一回転速度を保持し、第一流速で蝕刻溶液を注入し、
ステップfでは、蝕刻溶液の注入を止め、第二回転速度で湿式蝕刻を行い、
ステップgでは、正面及び側背面より純水を注入し、800〜1200rpmでウエハを洗浄し、
ステップhでは、純水の注入を停止し、600〜1000rpmで純水を振り払い、
ステップiでは、IPAを注入し、40〜100rpmで水分を除去し、
ステップjでは、1000〜2000rpmでウエハを乾燥させ、
ステップkでは、3000rpmまで加速し、ウエハを乾燥させるものであり、
以上のステップに関し、
ステップbでウエハを湿潤させた後ステップcに進んで蝕刻溶液を注入して、800〜1200rpmの回転速度でウエハの正面及び側背面を蝕刻し、表層の薄膜を除去し、
ステップdで蝕刻溶液を除去後、ステップeに進み、第一回転速度、第一流速において蝕刻溶液を注入し、
ステップeにおいて湿式蝕刻後、ステップfに進み、第二回転速度においてパドル湿式蝕刻を行うことを特徴とする回転プロセッサを利用した薄膜蝕刻方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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