特許
J-GLOBAL ID：200903089066239078
半導体基板の処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252125
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115919
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 低コストで、結晶性、電気的特性の改善された半導体DZ基板(ウェハ)を効率よく提供する。【構成】 CZ法等で、高速に結晶を引き上げ、半導体ウェハを切り出し、臨界直径以下の析出物等の密度の高い密度分布を有した半導体ウェハを選定し、それに対し、その後、還元性あるいは不活性雰囲気中で熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
CZ法又はMCZ法のいずれかを用い、1.3mm/min以上の引上げ速度で、シリコン単結晶を成長し、該単結晶をスライスして半導体基板を形成し、該半導体基板を還元性あるいは不活性雰囲気のいずれかの雰囲気中で、1100°C以上の温度において30分以上熱処理を行うことを特徴とする半導体基板の処理方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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