特許
J-GLOBAL ID：200903089070844180

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松井 聡

松井 聡 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-194924
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019455
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 貫通電極を有する半導体装置において、少ない面積で高密度に貫通電極を設ける。【解決手段】 半導体装置100において、シリコン基板101を貫通する孔に充填された多重貫通プラグ111を設ける。多重貫通プラグ111は、円柱状で中実の第一の貫通電極103、第一の貫通電極103の円筒面を覆う第一の絶縁膜105、第一の絶縁膜105の円筒面を覆う第二の貫通電極107、および第二の貫通電極107の円筒面を覆う第二の絶縁膜109からなり、これらは同じ中心軸を有する。また、第一の絶縁膜105、第二の貫通電極107および第二の絶縁膜109の上断面は円環状とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板を貫通する中実プラグ状の第一導電体と、 前記第一導電体の周囲に設けられ、前記半導体基板を貫通する筒状の第二導電体と、 前記第一導電体と前記第二導電体との間に設けられ、これらを絶縁する絶縁膜と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (4件)：
H01L21/88 J ,  H01L23/12 501P ,  H01L23/52 C ,  H01L25/08 Z
Fターム (33件)：
5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ25 ,  5F033NN00 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033NN33 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR22 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX23 ,  5F033XX25 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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