パターン形状補正方法、パターン形状算出方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264533
公開番号（公開出願番号）：特開2001-100389
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】リソグラフィー後のフォトレジストのエッチングの進み過ぎ、若しくはフォトレジストの残留を抑止することにより、高い精度で回路パターンを形成する。【解決手段】リソグラフィーによりマスクパターンを形成する際に、当該パターンの形状を補正する方法であって、マスクパターンを四角形のブロックによって構成されるパターンとなるように分割する第1のステップと、それぞれの前記ブロックにおける4つのコーナー部を検出し、コーナー部が凸角22であれば補填ブロック42を加える第2のステップと、それぞれのブロックにおける4つのコーナー部を検出し、コーナー部が凹角21であれば消却ブロック41を加える第3のステップと、それぞれの前記ブロックにおける4つのコーナー部を検出し、コーナー部が平面状である場合は処理を施さないようにする第4のステップとを有する。

請求項（抜粋）：

リソグラフィーによりマスクパターンを形成する際に、当該パターンの形状を補正する方法であって、前記マスクパターンを四角形のブロックによって構成されるパターンとなるように分割する第1のステップと、それぞれの前記ブロックにおける4つのコーナー部を検出し、検出の結果、前記コーナー部が凸角であれば補填ブロックを加える第2のステップと、それぞれの前記ブロックにおける4つのコーナー部を検出し、検出の結果、前記コーナー部が凹角であれば消却ブロックを加える第3のステップと、それぞれの前記ブロックにおける4つのコーナー部を検出し、検出の結果、前記コーナー部が平面状である場合は処理を施さないようにする第4のステップとを有することを特徴とするパターン形状補正方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G06F 17/50 , H01L 21/027 , H01L 27/10 431

FI (4件)：

G03F 1/08 A , H01L 27/10 431 , G06F 15/60 658 M , H01L 21/30 502 P

Fターム (6件)：

2H095BB01 , 5B046AA08 , 5B046BA10 , 5B046JA02 , 5F083CR00 , 5F083PR01

引用特許：

出願人引用 (2件)

改善された光学的近接補正システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086393 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
レチクルの作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-169794 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (2件)

改善された光学的近接補正システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086393 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
レチクルの作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-169794 出願人：富士通株式会社

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