特許
J-GLOBAL ID：200903089114688610
レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-334817
公開番号（公開出願番号）：特開平11-153867
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 光酸発生剤を含む化学増幅系ネガ型レジストを用いて、矩形性、寸法精度の良好なパターンが得られるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 化学増幅系ネガ型レジストのフォトレジスト膜102が形成された半導体基板101に、所望の半導体集積回路パターンを描いたマスクまたはレチクルを通して紫外線や遠紫外線を露光し、PEB(Post exposure bake)処理後、アルカリ現像液を用いて現像し、フォトレジストパターン105を形成するレジストパターンの形成方法において、露光後、PEB処理前にヘキサメチルジシラザン(HMDS)、アンモニアガスその他有機アミン等による表面処理を行う方法とする。
請求項（抜粋）：
光酸発生剤を含む化学増幅系ネガ型レジストのフォトレジスト膜を用いたレジストパターン形成方法であって、下地基板に形成したフォトレジスト膜へのパターン露光後に、そのフォトレジスト膜を塩基性物質雰囲気中に暴露することを特徴とする、レジストパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/038 601
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
G03F 7/038 601
, G03F 7/38 511
, H01L 21/30 568
