特許
J-GLOBAL ID:200903089114935928
光電変換膜、並びに、該光電変換膜を含む太陽電池、光電変換素子、又は撮像素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
飯田 敏三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-168085
公開番号(公開出願番号):特開2007-335760
出願日: 2006年06月16日
公開日(公表日): 2007年12月27日
要約:
【課題】光電変換効率が高く、光電変換する吸収波長域が拡大した光電変換膜、及び、該光電変換膜を含む太陽電池、光電変換素子、又は撮像素子を提供する。【解決手段】p型半導体層とn型半導体層を有し、該p型半導体層およびn型半導体層の少なくともいずれかが置換基を有するアセン系化合物を含む光電変換膜。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
p型半導体とn型半導体を有し、該p型半導体およびn型半導体の少なくともいずれかが置換基を有するアセン系化合物を含むことを特徴とする光電変換膜。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L31/04 D
, H01L27/14 E
Fターム (31件):
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA05
, 4M118CA06
, 4M118CA07
, 4M118CA09
, 4M118CA15
, 4M118CA22
, 4M118CA27
, 4M118CB01
, 4M118CB05
, 4M118CB14
, 4M118EA01
, 4M118FA06
, 5F051AA11
, 5F051DA03
, 5F051DA17
, 5F051DA18
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA07
, 5F051FA13
, 5F051FA15
引用特許:
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