特許
J-GLOBAL ID：200903089154514437
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173919
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354888
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 製造が容易でかつ放熱を促進することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 配設基板80により支持された基板11の配設基板80と反対側に複数のレーザ発振部20a,20b,20c,20dが形成される。レーザ発振部20a,20b,20c,20dにはp側電極15a,15b,15c,15dが接続され、p側電極15b,15cには厚さを厚くすることにより放熱機能を備えた引き出し用電極17a,17bが接続される。引き出し用電極17a,17bはレーザ発振部20b,20cを覆うと共に、絶縁層16a,16bを介してレーザ発振部20a,20dも覆っている。よって、基板11の側を配設基板80に配設するようにしても、発生した熱を積極的に放熱でき、熱干渉による閾値電圧の上昇や発光出力の低下を抑制できる。
請求項（抜粋）：
配設基板と、この配設基板により支持された1つの基板と、この基板の前記配設基板と反対側に積層して形成された複数の半導体層よりそれぞれなる複数の発光部と、これら各発光部に対して前記基板の反対側にそれぞれ設けられ、前記各発光部と1対1に対応して電気的に接続された複数のオーミック電極と、前記基板に対して前記各発光部を介して積層されることにより、前記各発光部の前記基板と反対側に形成された少なくとも1つの放熱層とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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