半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-058406
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273224
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【構成】半導体基板1上にトランジスタのゲート電極4を形成し、層間絶縁膜6を形成し、上記ゲート電極4又は上記半導体基板1に形成された不純物拡散領域5上にコンタクト孔7を形成した後、イオン注入により、上記データの書き込みを行う。その後、温度を700〜800°Cとし、不活性ガス雰囲気中で注入イオンの活性化アニールを行い、配線形成を行う【効果】所望の閾値電圧を得るためにはイオン打ち込み量を増す必要がなく、ソース・ドレインの接合リークが回復でき、オートドープによる拡散抵抗も極端には大きくならない。

請求項（抜粋）：

メモリセル部となるトランジスタの閾値電圧をイオン注入で相違させることによりデータを書き込むマスクROMを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に上記トランジスタを形成し、層間絶縁膜を形成し、上記トランジスタのゲート電極又は上記半導体基板に形成された不純物拡散層上にコンタクト孔を形成した後、イオン注入により、上記データの書き込みを行う工程と、アニール処理温度を700〜800°Cとし、不活性ガス雰囲気中で注入イオンの活性化アニールを行った後、配線形成を行う工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/8246 , H01L 27/112

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-076773
特開平1-282863
MIS型半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-020215 出願人：セイコーエプソン株式会社

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