特許
J-GLOBAL ID：200903089206727680

成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体

発明者：
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について

, 
岡田 充弘

岡田 充弘 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-321167
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190977
出願日： 2005年11月04日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】例えば窒化シリコン膜を形成する際、成膜処理後に当該成膜処理に対応したパージレシピにより反応容器内のパージ処理を行って、反応容器内に付着したガスやパーティクルの原因となる膜の表層部を除去し、ガスやパーティクルの発生を低減する成膜方法を提供する。【解決手段】多数枚のウエハWをウエハボート25に保持させて、反応容器2内に搬入し、例えばSi2Cl2ガスとNH3ガスとを成膜ガスとして用いた成膜レシピ1の成膜処理を行う。次いでこの成膜処理に対応するパージレシピ1を自動的に選択し、当該パージレシピ1に従って反応容器2のパージ処理を行う。成膜処理の種別毎にパージレシピを用意して、各成膜処理に対応するパージレシピを自動的に選択してパージ処理を行うことにより、不要なパージ時間の発生を抑えた状態で各成膜処理に対応した適切なパージ処理を行うことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の成膜レシピを備えた熱処理装置を用いて基板に対して成膜ガスにより成膜処理を行う方法において、 反応容器内に載置された基板に対して、選択された成膜レシピに基づいて成膜処理を行う工程と、 次いで前記基板を前記反応容器から搬出する工程と、 前記選択された成膜レシピにより成膜された薄膜の累積膜厚に基づいて、予め用意された複数のパージレシピの中から自動でパージレシピを選択する工程と、 基板が反応容器から搬出された後、選択されたパージレシピに基づいて、反応容器内にパージガスを供給してパージ処理を行う工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L21/318 B ,  C23C16/44 J ,  H01L21/31 B
Fターム (33件)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF01 ,  5F045BB14 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB11 ,  5F058BA05 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM