特許
J-GLOBAL ID:200903089214438336
電子およびオプトエレクトロニクス・デバイス用の電極構造
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-555862
公開番号(公開出願番号):特表2005-513737
出願日: 2002年11月26日
公開日(公表日): 2005年05月12日
要約:
【課題】電子およびオプトエレクトロニクス・デバイス用の電極構造を提供すること。【解決手段】該デバイスは、導電層(204)を実質的に有する第1の電極と、この導電層上に形成された非金属層(206)と、この非金属層上に形成されたフルオロカーボン層(208)と、このフルオロカーボン層上に形成された構造(210)とを含む。この電極はさらに導電層と非金属層の間にバッファ層(205)を含む。
請求項(抜粋):
導電層(204、304)を実質的に有する第1の電極と、
前記導電層(204、304)上に形成された非金属層(206、306)と、
前記非金属層(206、306)上に形成されたフルオロカーボン層(208、308)と、
前記フルオロカーボン層(208、308)上に形成された構造(210、310)と、
前記構造(210、310)上に形成された第2の電極(220、311、330)と
を備えた電子デバイス。
IPC (3件):
H05B33/22
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (3件):
H05B33/22 B
, H05B33/10
, H05B33/14 A
Fターム (6件):
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB11
, 3K007CB04
, 3K007CC01
, 3K007DB03
引用特許:
出願人引用 (12件)
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米国特許第4356429号
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米国特許第5593788号
-
米国特許第5408109号
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審査官引用 (4件)