特許
J-GLOBAL ID：200903089214461389

拡散バリヤを有する半導体キャパシタ

発明者：
アガーワル,ビシュニュ,ケイ

アガーワル,ビシュニュ,ケイ について


出願人/特許権者：
マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド

マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド について


代理人 (1件)： 加藤 紘一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-514478
公開番号（公開出願番号）：特表2003-506870
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2003年02月18日
要約：
【要約】集積回路に用いる容器型構造及びその製造方法。容器型構造は、底部導電層(245、250)、上部導電層(270)及び底部導電層と、上部導電層との間の誘電体層(260)を有する。容器型構造はさらに、誘電体層と、底部導電層との間の拡散バリヤ層(250)を有する。拡散バリヤ層は、底部導電層の少なくとも一部への原子拡散、特に、誘電体層の形成またはアニーリング時における酸素の原子拡散を阻止するように作用する。容器型構造は特に、容器型キャパシタとして使用できる。容器型キャパシタはさらに、メモリセル及びかかるメモリセルを有する装置だけでなく他の集積回路にも使用可能である。
請求項（抜粋）：
閉じた底部と、底部から上方に延びる側壁とを有する底部導電層と、 底部導電層の少なくとも底部の上を延びる拡散バリヤ層と、 散バリヤ層及び底部導電層の上を延び、少なくとも1つの金属酸化物により形成された誘電体層とより成る半導体容器構造。
IPC (2件)：
H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (2件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 C
Fターム (20件)：
5F083AD10 ,  5F083AD24 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083LA12 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR05 ,  5F083PR15 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (3件)

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