特許
J-GLOBAL ID：200903079725639520
誘電体膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235569
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074478
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 均質な高誘電体膜を成膜できるようにすると共に、均質な高誘電体膜を用いて特性が優れた半導体装置を製造できるようにする。【解決手段】 層間絶縁膜11の上には、ポリシリコンからなり、有底円筒形状を有する下部電極12と、アルコキシ系有機タンタルとアルコキシ系有機チタンとを原料とするMOCVD法を用いて形成され、タンタルとチタンとのモル比が約9対1の五酸化タンタル及び二酸化チタンの混合物からなり、層間絶縁膜11の上における下部電極12の周辺部並びに下部電極12における底面、内側面及び外側面の各面上に膜厚が10nmで均一な誘電体膜13Aと、窒化チタンからなり誘電体膜13Aの上に形成された上部電極14とから構成されるキャパシタが形成されている。
請求項（抜粋）：
アミノ系有機タンタルを含む原料ガスを該原料ガスの分解温度以上の温度に加熱された半導体基板の主面上で加熱分解すると共に、前記半導体基板の主面上に解離したタンタルを酸素系ガスを用いて酸化することにより、前記主面上にタンタル酸化物からなる誘電体膜を形成することを特徴とする誘電体膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 C
