ナノ構造およびナノ構造の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-191912
公開番号（公開出願番号）：特開2009-028797
出願日： 2007年07月24日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

【課題】格子定数差が大きな半導体基板上にボトムアップ的に制御性よくナノワイヤを作製する。【解決手段】Au微粒子12をSi(111)基板11上に形成し、GaPナノワイヤ13をSi(111)基板11上に成長させた後、InPバッファ層14をGaPナノワイヤ13上に形成し、さらにGaInAsナノワイヤ15をInPバッファ層14上に成長させた後、GaPナノワイヤ13、InPバッファ層14およびGaInAsナノワイヤ15の周囲が覆われるようにInPキャッピング層16を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

金属微粒子を半導体基板上に形成する工程と、 VLS成長またはVSS成長にて前記金属微粒子下に第1ナノワイヤを形成する工程と、前記金属微粒子との間で前記第1ナノワイヤよりも格子定数差が大きく、前記第1ナノワイヤよりも幅の大きなバッファ層をVLS成長もしくはVSS成長と側面上への層成長との組み合わせにて前記第1ナノワイヤ上に形成する工程と、前記金属微粒子との間で前記第1ナノワイヤよりも格子定数差が大きく、前記バッファ層と格子定数の近い第2ナノワイヤを、VLS成長またはVSS成長にて前記バッファ層上に形成する工程とを備えることを特徴とするナノ構造の作製方法。

IPC (4件)：

B82B 3/00 , B82B 1/00 , H01L 31/10 , H01L 33/00

FI (4件)：

B82B3/00 , B82B1/00 , H01L31/10 A , H01L33/00 A

Fターム (18件)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA10 , 5F041CA33 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA37 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CB36 , 5F049MA02 , 5F049MB07 , 5F049NA20 , 5F049PA04 , 5F049PA06 , 5F049QA16 , 5F049SE05 , 5F049SS03

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体ナノワイヤー素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-045681 出願人：日本電信電話株式会社
ナノ構造体およびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-518992 出願人：ビーティージー・インターナショナル・リミテッド

引用文献：

審査官引用 (3件)

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