ナノ構造体およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上義雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-518992
公開番号（公開出願番号）：特表2005-532181
出願日： 2003年07月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

共鳴トンネルダイオードおよびその他の1次元電子的あるいは光学的構造、および電気機械的MEMSデバイスを、ナノウィスカ内のヘテロ構造として異なるバンドギャップを有する異なる物質のウィスカ長さセグメントを形成することにより作製する。このような共鳴トンネルダイオードは、シード粒子メルトを一端に有し径が一定のコラムからなり量子閉じこめ効果を示すナノウィスカを有する。該コラムは第1および第2の半導体部分を有し、これら部分はそれぞれエミッタおよびコレクタである。第1および第2の半導体部分の間には第1および第2の半導体部分とは異なるバンドギャップを有する物質の第3および第4の半導体部分があり、第3および第4の半導体部分の間には該第3および第4の部分とは異なるバンドギャップを有する半導体物質であって量子井戸を形成する第5の中央部分が配設される。該RTDは、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。

請求項（抜粋）：

ナノメートル寸法の径を有するコラムからなるナノウィスカであって、該コラムはその長さ方向に沿って異なる結晶物質の少なくとも第1および第2の長さ方向セグメントを有し、該第1および第2のセグメント間には組成境界があり、前記コラムの前記径は組成境界における格子不整合により引き起こされる格子歪みが横方向外向きの原子の変位によって実質的に調整されるようになされ、第1および第2の部分の結晶物質間の組成境界は径方向に沿った格子面の8個分以下の軸方向間隔に渡って延在するナノウィスカ。

IPC (9件)：

B82B1/00 , B82B3/00 , H01J31/12 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/737 , H01L29/88 , H01L31/10 , H01L33/00

FI (10件)：

B82B1/00 , B82B3/00 , H01J31/12 C , H01L29/06 601D , H01L29/06 601L , H01L29/06 601N , H01L29/88 Z , H01L33/00 A , H01L29/72 H , H01L31/10 A

Fターム (19件)：

5C036EE19 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EF08 , 5C036EG12 , 5C036EH11 , 5F003BF06 , 5F003BM00 , 5F003BM01 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F041CA05 , 5F041CA39 , 5F041CA67 , 5F049MA02 , 5F049MA04 , 5F049MA05 , 5F049MB07 , 5F049PA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

メモリデバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-269844 出願人：株式会社日立製作所
垂直にナノ相互接続された回路デバイスからなる製品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-324945 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
量子結合メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-218262 出願人：株式会社日立製作所

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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